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氮化硅中氟、氯的测定

电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体加强化学气相沉淀技术造作，而氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对有关接触部件造成严沉侵蚀，所以对氮化硅中阴离子杂质的正确测定拥有沉要意思。
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碳化硅中阴阳离子的测定

碳化硅（SiC）别名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业出产的碳化硅分为玄色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。
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氧化硅粉末中阴离子的测定

二氧化硅是造作玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的沉要部件，是光学仪器、工艺品和耐火资料的原料，是科学钻研的沉要资料。
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光刻资猜中阴离子的测定

光刻工艺是半导体造作中最为沉要的工艺步骤之一。重要作用是将掩膜板上的图形复造到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好筹备。
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聚酰亚胺中氯离子和钠离子的测定

聚酰亚胺中氯离子和钠离子的测定
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蚀刻液中阴离子的测定

在集成电路造作过程中，常必要在晶圆上界说出极轻微尺寸的图案，这些图案重要的形成方式是藉由蚀刻技术，将微影后产生的光阻图案忠诚的转印至光阻下的材质上，以形成集成电路的复杂架构。
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N-甲基吡咯烷酮中阴离子的测定

N-甲基吡咯烷酮，简称 NMP，无色通明油状液体，微有胺的气味。能与水、醇、醚、酯、酮、卤代烃、芳烃互溶�；臃⒍鹊�，热不变性、化学不变性均佳，能随水蒸气挥发，有吸湿性，对光敏感。
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电池级碳酸锂中氟离子的测定

电池级微粉碳酸锂系白色粉末，微溶于水，易溶于酸，是出产锂电池的关键原料。重要用于电池行业造作钴酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、锰酸锂等离子电池正极资料，也可用于充电锂离子电池电解质增长剂。
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氢氧化镍、碳酸镍和氢氧化镍钴中阴离子的测定

氢氧化镍是镍基电池（Ni-MH、NiCd、Ni-Fe、Ni-Zn）的正极活性物质，碳酸镍、氢氧化镍钴别离是锂电池正极资料碳酸镍锰和镍钴酸锂的合成原料。
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硫酸锰中阴离子的测定

硫酸锰，易溶于水，不溶于乙醇，常以多种水合物的大局存在。硫酸锰是合成锰系正极资料的原料，还被宽泛利用于电解锰、染料、造纸以及陶瓷等工业出产中。
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锰酸锂中氟离子的测定

锰酸锂中氟离子的测定
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氢氧化镍钴锰中硫酸根离子的测定

氢氧化镍钴锰是造备锂离子二次电池正极资料——镍钴锰酸锂的前躯体。它通过在纯净的镍、钴、锰的溶液中配入适当的硫酸锰、硫酸镍或硫酸钴，调整溶液中镍、钴、锰元素摩尔比1:1:1，再参与液碱调节 pH值得到镍钴锰氢氧化物。
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